锴威特上半年新获授权发明专利19项客户应用领域开拓显成效

锴威特(688693)8月30日晚间发布半年报及2024年度“提质增效重回报”行动方案。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，深度挖掘客户需求，深耕下游消费电子、工业控制及高可靠市场并持续拓宽细分应用领域。上半年，公司技术研发成果突出，新获授权专利21项，其中发明专利19项。

作为典型的研发与技术创新驱动企业，锴威特持续加大对产品及核心技术的研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，强化自主研发产品竞争力，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。部分新产品正在客户验证阶段，部分已进入中试阶段。

公司目前已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。

上半年，锴威特新获授权专利21项（其中发明专利19项、实用新型专利2项），集成电路布图设计专有权11项；截至2024年6月30日，公司已获授权专利109项(其中发明专利66项、实用新型专利43项)，集成电路布图设计专有权87项。

锴威特表示，未来，公司将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。

据介绍，近年来基于公司前期较早地布局了高可靠应用领域，不断加大功率IC和功率器件产品在高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力度。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。（齐和宁）

校对：王蔚

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